Onsemi FQB4N80TM
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
メーカー品番 :FQB4N80TM
メーカーです :Onsemi
Dasenic Part :FQB4N80TM-DS
ドキュメント :
FQB4N80TM ドキュメント
FQB4N80TM ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 1.6560 | $ 1.66 |
| 10+ | $ 1.2960 | $ 12.96 |
| 100+ | $ 1.0350 | $ 103.5 |
| 250+ | $ 1.0260 | $ 256.5 |
| 500+ | $ 0.9900 | $ 495 |
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FQB4N80TM 情報
Onsemi FQB4N80TM 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:D2PAK (TO-263)
- 消費電力（最大）:3.13W (Ta), 130W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):800 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3.9A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3.6Ohm @ 1.95A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:25 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:880 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FQB4N80TM 提供 Onsemi
1999 年に設立された ON Semiconductor (Nasdaq: ON) は、自動車および産業用エンド マーケットに注力しており、車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速しています。Onsemi は、ディスクリートおよび電源モジュール、電源管理、信号調整および制御、センサー、モーター制御、カスタムおよび ASSP、インターフェイス、ワイヤレス接続、タイミング、ロジックおよびメモリなど、多様な半導体製品ポートフォリオを提供しています。高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、Onsemi は世界で最も複雑な課題を解決するインテリジェントな電源およびセンシング技術を生み出し、より安全でクリーン、そしてスマートな世界の実現をリードしています。米国アリゾナ州に本社を置く同社は、19 の製造拠点、43 のデザイン センター、8 つのソリューション エンジニアリング センターの広範なネットワークを含む堅牢なインフラストラクチャを備えています。
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