Rochester Electronics FDN363N
N-CHANNEL POWER MOSFET
メーカー品番 :FDN363N
メーカーです :Rochester Electronics
Dasenic Part :FDN363N-DS
ドキュメント :
FDN363N ドキュメント
FDN363N ドキュメント顧客カスタム :
説明する : N-CHANNEL POWER MOSFET
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 0.1560 | $ 0.16 |
| 25+ | $ 0.1528 | $ 3.82 |
| 100+ | $ 0.1466 | $ 14.66 |
| 500+ | $ 0.1404 | $ 70.2 |
| 1000+ | $ 0.1326 | $ 132.6 |
在庫: 51122
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FDN363N 情報
Rochester Electronics FDN363N 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:SuperSOT™-3
- 消費電力（最大）:500mW (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:1A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:240mOhm @ 1A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:5.2 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:200 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FDN363N 提供 Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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