PN Junction Semiconductor P3M06300K3
SICFET N-CH 650V 9A TO-247-3
- メーカー品番 :P3M06300K3
- メーカーです :PN Junction Semiconductor
- Dasenic Part :P3M06300K3-DS
- ドキュメント :
P3M06300K3 ドキュメント - 説明する : SICFET N-CH 650V 9A TO-247-3
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 9.96合計 : $ 9.96
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在庫: 2033
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 9.9600 | $ 9.96 |
| 11 + | $ 9.4618 | $ 104.08 |
| 101 + | $ 9.9600 | $ 1005.96 |
| 1000 + | $ 7.4700 | $ 7470.00 |
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PN Junction Semiconductor P3M06300K3 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3L
消費電力（最大）:38W
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:9A
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:500mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:904 nC @ 15 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:338 pF @ 400 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:15V
Vgs (最大):+20V, -8V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
REACH規則:REACH Affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PN Junction Semiconductor P3M06300K3
PN Junction Semiconductorは、2018年9月に中国の第3世代パワー半導体デバイスのリーディングブランドとして設立されました。同社の主力製品は、車載グレードのシリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドSBD、窒化ガリウムパワーデバイスです。同社は中国で最も包括的なシリコンカーバイドパワーデバイスのカタログを所有しており、さまざまな電圧レベルと電流容量をカバーするシリコンカーバイドMOSFETとSBDはすべてAEC-Q101テストと認証に合格しており、顧客のさまざまなアプリケーションシナリオを満たすことができます。PN Junction Semiconductorの創設者であるHuang Xing博士は、2009年からシリコンカーバイドと窒化ガリウムパワーデバイスの設計と開発に深く関わり、IGBTの発明者であるB. Jayant Baliga教授とサイリスタの発明者であるAlex Huang教授に師事しました。現在、PN Junction Semiconductorは、650V、1200V、1700Vの電圧プラットフォーム上で、シリコンカーバイドダイオード、シリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドパワーモジュール、GaN HEMT製品の100種類以上のモデルをリリースしています。量産製品は、電気自動車、IT機器電源、太陽光発電インバータ、エネルギー貯蔵システム、産業用アプリケーションなどの分野で広く使用されており、Tier 1メーカーに継続的かつ安定した供給を提供しています。
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