Onsemi NSD350HT1G
DIODE GEN PURP 350V 200MA SOD323
メーカー品番 :NSD350HT1G
メーカーです :Onsemi
Dasenic Part :NSD350HT1G-DS
ドキュメント :
NSD350HT1G ドキュメント
NSD350HT1G ドキュメント顧客カスタム :
説明する : DIODE GEN PURP 350V 200MA SOD323
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 0.0792 | $ 0.79 |
| 3000+ | $ 0.0440 | $ 132 |
| 6000+ | $ 0.0400 | $ 240 |
| 9000+ | $ 0.0440 | $ 396 |
| 15000+ | $ 0.0355 | $ 532.5 |
在庫: 35816
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.0792
合計 :$ 0.08
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
NSD350HT1G 情報
Onsemi NSD350HT1G 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SC-76, SOD-323
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOD-323
- スピード:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):200mA
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 100 mA
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 µA @ 350 V
- 静電容量 @ Vr、 F:5pF @ 0V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):350 V
- 逆回復時間 (trr):55 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0070
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NSD350HT1G 提供 Onsemi
1999 年に設立された ON Semiconductor (Nasdaq: ON) は、自動車および産業用エンド マーケットに注力しており、車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速しています。Onsemi は、ディスクリートおよび電源モジュール、電源管理、信号調整および制御、センサー、モーター制御、カスタムおよび ASSP、インターフェイス、ワイヤレス接続、タイミング、ロジックおよびメモリなど、多様な半導体製品ポートフォリオを提供しています。高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、Onsemi は世界で最も複雑な課題を解決するインテリジェントな電源およびセンシング技術を生み出し、より安全でクリーン、そしてスマートな世界の実現をリードしています。米国アリゾナ州に本社を置く同社は、19 の製造拠点、43 のデザイン センター、8 つのソリューション エンジニアリング センターの広範なネットワークを含む堅牢なインフラストラクチャを備えています。
Onsemi 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
