GeneSiC Semiconductor KBU8J
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
メーカー品番 :KBU8J
メーカーです :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Part :KBU8J-DS
ドキュメント :
KBU8J ドキュメント
KBU8J ドキュメント顧客カスタム :
説明する : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 0.4158 | $ 0.42 |
| 100+ | $ 0.3411 | $ 34.11 |
| 400+ | $ 0.3069 | $ 122.76 |
| 1000+ | $ 0.2754 | $ 275.4 |
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KBU8J 情報
GeneSiC Semiconductor KBU8J 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:4-SIP, KBU
- テクノロジー:Standard
- サプライヤーデバイスパッケージ:KBU
- ダイオードタイプ:Single Phase
- 電圧 - ピーク逆電圧（最大）:600 V
- 電流 - 平均整流 ( Io):8 A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1 V @ 8 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 600 V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
KBU8J 提供 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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