NTE Electronics Inc. NTE2386
MOSFET N-CHANNEL 600V 6.2A TO3
メーカー品番 :NTE2386
メーカーです :NTE Electronics Inc.
Dasenic Part :NTE2386-DS
ドキュメント :
NTE2386 ドキュメント
NTE2386 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CHANNEL 600V 6.2A TO3
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 204.0000 | $ 204 |
| 3+ | $ 184.4000 | $ 553.2 |
| 10+ | $ 163.0000 | $ 1630 |
| 25+ | $ 146.4000 | $ 3660 |
在庫: 1497
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 204
合計 :$ 204.00
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
NTE2386 情報
NTE Electronics Inc. NTE2386 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-204AA, TO-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3
- 消費電力（最大）:125W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6.2A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.2Ohm @ 3.4A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:80 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1300 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NTE2386 提供 NTE Electronics Inc.
1979 年にニュージャージー州で設立された NTE Electronics, Inc は、全製品ラインに 10 種類の半導体を持つ小さな町のサプライヤから、業界最大のアフターマーケット半導体サプライヤに成長しました。現在、当社の製品ラインは 23,000 種類を超えるデバイスで構成されています。2001 年 1 月、NTE は Philips NA の ECG 部門の資産を買収しました。これにより、NTE は、産業、商業、消費者、および MRO 市場にプライベート ラベルのアフターマーケット電子部品を供給する業界リーダーになりました。ニュージャージー州ブルームフィールドにある NTE の 40,000 平方フィートの本社には、世界中の認定販売店ネットワークに電子部品を継続的に供給するために必要なすべてのサービスと在庫が一元化されています。NTE のデバイスは品質テスト済みで、NASA の宇宙プロジェクト、ドイツの自動車、病院/医療用途、および事実上あらゆる種類の消費者製品に使用されています。
NTE Electronics Inc. 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
