Nexperia USA Inc. PSMN3R7-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
メーカー品番 :PSMN3R7-100BSEJ
メーカーです :Nexperia USA Inc.
Dasenic Part :PSMN3R7-100BSEJ-DS
ドキュメント :
PSMN3R7-100BSEJ ドキュメント
PSMN3R7-100BSEJ ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 18+ | $ 2.6104 | $ 46.99 |
| 43+ | $ 2.1419 | $ 92.1 |
| 66+ | $ 2.0750 | $ 136.95 |
| 90+ | $ 2.0080 | $ 180.72 |
| 116+ | $ 1.9411 | $ 225.17 |
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PSMN3R7-100BSEJ 情報
Nexperia USA Inc. PSMN3R7-100BSEJ 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:D²PAK
- 消費電力（最大）:405W (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:120A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3.95mOhm @ 25A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:246 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:16370 pF @ 50 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PSMN3R7-100BSEJ 提供 Nexperia USA Inc.
Nexperia は、2017 年に NXP Semiconductors から分離して設立されたオランダの半導体企業です。Nexperia はオランダのナイメーヘンに本社を置き、アジア、ヨーロッパ、米国に製造施設を構えています。Nexperia USA Inc. は、米国の顧客にサービスを提供するために設立された Nexperia の子会社です。同社は、自動車、モバイル、コンピューティング、コンシューマー、産業など、さまざまな業界向けに幅広い半導体ソリューションを提供しています。Nexperia USA Inc. が提供する製品には、ダイオード、トランジスタ、ESD 保護デバイス、ロジック IC、電源管理 IC などがあります。同社はカリフォルニアに本社を置き、全国に営業所とエンジニアリング オフィスを構えています。Nexperia USA Inc. は、北米の顧客向けに技術サポート、設計サービス、製品流通を提供しています。
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