Nexperia USA Inc. PHKD3NQ10T,518
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
メーカー品番 :PHKD3NQ10T,518
メーカーです :Nexperia USA Inc.
Dasenic Part :PHKD3NQ10T,518-DS
ドキュメント :
PHKD3NQ10T,518 ドキュメント
PHKD3NQ10T,518 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
在庫: 64
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0
合計 :$ 0.00
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
PHKD3NQ10T,518 情報
Nexperia USA Inc. PHKD3NQ10T,518 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:2W
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SO
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:90mOhm @ 1.5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:21nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:633pF @ 20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:2 (1 Year,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
PHKD3NQ10T,518 提供 Nexperia USA Inc.
Nexperia は、2017 年に NXP Semiconductors から分離して設立されたオランダの半導体企業です。Nexperia はオランダのナイメーヘンに本社を置き、アジア、ヨーロッパ、米国に製造施設を構えています。Nexperia USA Inc. は、米国の顧客にサービスを提供するために設立された Nexperia の子会社です。同社は、自動車、モバイル、コンピューティング、コンシューマー、産業など、さまざまな業界向けに幅広い半導体ソリューションを提供しています。Nexperia USA Inc. が提供する製品には、ダイオード、トランジスタ、ESD 保護デバイス、ロジック IC、電源管理 IC などがあります。同社はカリフォルニアに本社を置き、全国に営業所とエンジニアリング オフィスを構えています。Nexperia USA Inc. は、北米の顧客向けに技術サポート、設計サービス、製品流通を提供しています。
Nexperia USA Inc. 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
