Navitas Semiconductor NV6123-RA
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 30QFN
メーカー品番 :NV6123-RA
メーカーです :Navitas Semiconductor
Dasenic Part :NV6123-RA-DS
ドキュメント :
NV6123-RA ドキュメント
NV6123-RA ドキュメント顧客カスタム :
説明する : IC PWR GANFAST N-CH 1:1 30QFN
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| 数量 | 単価 | 合計 |
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| 1000+ | $ 1.0013 | $ 1001.3 |
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NV6123-RA 情報
Navitas Semiconductor NV6123-RA 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Power Distribution Switches, Load Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TC)
- 特徴:-
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:30-PowerVQFN
- 入力タイプ:Non-Inverting
- 出力タイプ:N-Channel
- インタフェース:PWM
- サプライヤーデバイスパッケージ:30-QFN (6x8)
- 比率 - 入力:出力:1:1
- 電圧 - 電源 ( Vcc/ Vdd):10V ~ 24V
- 出力数:1
- 障害保護:-
- 出力構成:High Side or Low Side
- Rds オン (タイプ):300mOhm
- 電圧 - 負荷:650V
- 電流 - 出力（最大）:5A
- スイッチタイプ:General Purpose
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NV6123-RA 提供 Navitas Semiconductor
Navitas Semiconductor は、2014 年に設立された唯一の純粋な次世代パワー半導体企業です。GaNFast™ パワー IC は、窒化ガリウム (GaN) の電力と駆動を制御、感知、保護と統合し、充電の高速化、電力密度の向上、エネルギーの節約を実現します。補完的な GeneSiC™ パワー デバイスは、最適化された高電力、高電圧、高信頼性のシリコン カーバイド (SiC) ソリューションです。重点市場には、モバイル、コンシューマー、データ センター、EV、太陽光、風力、スマート グリッド、産業などがあります。Navitas の特許は 185 件以上発行済みまたは申請中です。5,000 万個を超える GaN ユニットが出荷され、現場での GaN の故障は報告されていません。Navitas は、業界初で唯一の 20 年保証を導入しました。Navitas は、CarbonNeutral® 認定を受けた世界初の半導体企業です。
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