IXYS MWI75-12E8
IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3
メーカー品番 :MWI75-12E8
メーカーです :IXYS
Dasenic Part :MWI75-12E8-DS
ドキュメント :
MWI75-12E8 ドキュメント
MWI75-12E8 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
在庫: 39
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0
合計 :$ 0.00
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
MWI75-12E8 情報
IXYS MWI75-12E8 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:E3
- パワー - 最大:500 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:E3
- 構成:Three Phase Inverter
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):130 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1.1 mA
- I G B Tタイプ:NPT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.5V @ 15V, 75A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:5.7 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:No
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MWI75-12E8 提供 IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
