IXYS IXYH55N120A4
IGBT GENX4 1200V 55A TO247
メーカー品番 :IXYH55N120A4
メーカーです :IXYS
Dasenic Part :IXYH55N120A4-DS
ドキュメント :
IXYH55N120A4 ドキュメント
IXYH55N120A4 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : IGBT GENX4 1200V 55A TO247
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 30+ | $ 5.1210 | $ 153.63 |
| 90+ | $ 5.0850 | $ 457.65 |
| 150+ | $ 5.0670 | $ 760.05 |
| 300+ | $ 5.0400 | $ 1512 |
| 600+ | $ 4.9950 | $ 2997 |
在庫: 4779
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IXYH55N120A4 情報
IXYS IXYH55N120A4 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:650 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247 (IXTH)
- 逆回復時間 (trr):35 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):175 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.8V @ 15V, 55A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):350 A
- エネルギーの切り替え:2.3mJ (on), 5.3mJ (off)
- ゲートチャージ:110 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:23ns/300ns
- テスト条件:600V, 40A, 5Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYH55N120A4 提供 IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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