IXYS IXGK100N170
IGBT PT 1000V 120A TO-264
メーカー品番 :IXGK100N170
メーカーです :IXYS
Dasenic Part :IXGK100N170-DS
ドキュメント :
IXGK100N170 ドキュメント
IXGK100N170 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : IGBT PT 1000V 120A TO-264
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 44.9730 | $ 44.97 |
| 10+ | $ 44.3790 | $ 443.79 |
| 25+ | $ 32.2110 | $ 805.28 |
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IXGK100N170 情報
IXYS IXGK100N170 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-264-3, TO-264AA
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:830 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:PLUS264™
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):170 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1700 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3V @ 15V, 100A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):600 A
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:425 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:35ns/285ns
- テスト条件:850V, 100A, 1Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXGK100N170 提供 IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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