IXYS IXDI514SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
メーカー品番 :IXDI514SIAT/R
メーカーです :IXYS
Dasenic Part :IXDI514SIAT/R-DS
ドキュメント :
IXDI514SIAT/R ドキュメント
IXDI514SIAT/R ドキュメント顧客カスタム :
説明する : IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 4.3686 | $ 43.69 |
| 2500+ | $ 2.4270 | $ 6067.5 |
| 5000+ | $ 2.3371 | $ 11685.5 |
在庫: 2853
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 4.3686
合計 :$ 4.37
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
IXDI514SIAT/R 情報
IXYS IXDI514SIAT/R 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 電圧 - 供給:4.5V ~ 30V
- チャンネルタイプ:Single
- 駆動構成:Low-Side
- ドライバー数:1
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:1V, 2.5V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:14A, 14A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:25ns, 22ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXDI514SIAT/R 提供 IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
