IXYS IXA4IF1200UC-TUB
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D
メーカー品番 :IXA4IF1200UC-TUB
メーカーです :IXYS
Dasenic Part :IXA4IF1200UC-TUB-DS
ドキュメント :
IXA4IF1200UC-TUB ドキュメント
IXA4IF1200UC-TUB ドキュメント顧客カスタム :
説明する : DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 70+ | $ 3.8400 | $ 268.8 |
在庫: 1226
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 3.84
合計 :$ 3.84
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
IXA4IF1200UC-TUB 情報
IXYS IXA4IF1200UC-TUB 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:45 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252AA
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):9 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.1V @ 15V, 3A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):-
- エネルギーの切り替え:400µJ (on), 300µJ (off)
- ゲートチャージ:12 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:70ns/250ns
- テスト条件:600V, 3A, 330Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXA4IF1200UC-TUB 提供 IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
