IXYS IXDN630MYI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
メーカー品番 :IXDN630MYI
メーカーです :IXYS
Dasenic Part :IXDN630MYI-DS
ドキュメント :
IXDN630MYI ドキュメント
IXDN630MYI ドキュメント顧客カスタム :
説明する : IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 4.2210 | $ 4.22 |
| 25+ | $ 4.2210 | $ 105.53 |
| 100+ | $ 4.2210 | $ 422.1 |
| 250+ | $ 4.2210 | $ 1055.25 |
| 500+ | $ 4.2210 | $ 2110.5 |
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IXDN630MYI 情報
IXYS IXDN630MYI 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-5
- 電圧 - 供給:9V ~ 35V
- チャンネルタイプ:Single
- 駆動構成:Low-Side
- ドライバー数:1
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 3.5V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:30A, 30A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:11ns, 11ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXDN630MYI 提供 IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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