IXYS E1780TG65E
DIODE GEN PURP 3.6KV 1780A -
メーカー品番 :E1780TG65E
メーカーです :IXYS
Dasenic Part :E1780TG65E-DS
ドキュメント :
E1780TG65E ドキュメント
E1780TG65E ドキュメント顧客カスタム :
説明する : DIODE GEN PURP 3.6KV 1780A -
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E1780TG65E 情報
IXYS E1780TG65E 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:TO-200AF
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):1780A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:3.83 V @ 1.78 kA
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:100 mA @ 3600 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):3600 V
- 逆回復時間 (trr):1.22 µs
- 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 140°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
E1780TG65E 提供 IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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