ISSI® IS61WV51216EEALL-20BLI
8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
- メーカー品番 :IS61WV51216EEALL-20BLI
- メーカーです :ISSI®
- Dasenic Part :IS61WV51216EEALL-20BLI-DS
- ドキュメント :
IS61WV51216EEALL-20BLI ドキュメント - 説明する : 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 16.8626合計 : $ 16.86
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10 + | $ 16.8626 | $ 168.63 |
| 480 + | $ 14.0522 | $ 6745.06 |
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ISSI® IS61WV51216EEALL-20BLI 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:48-TFBGA
テクノロジー:SRAM - Asynchronous
サプライヤーデバイスパッケージ:48-TFBGA (6x8)
メモリサイズ:8Mbit
メモリタイプ:Volatile
電圧 - 供給:1.65V ~ 2.2V
アクセス時間:20 ns
メモリフォーマット:SRAM
メモリインターフェース:Parallel
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:20ns
記憶の組織化:512K x 16
パッケージ:Bulk
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS61WV51216EEALL-20BLI
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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