ISSI® IS61NVP25636A-200TQLI
2.375V~2.625V 9Mbit TQFP-100(14x20) SRAM
- メーカー品番 :IS61NVP25636A-200TQLI
- メーカーです :ISSI®
- Dasenic Part :IS61NVP25636A-200TQLI-DS
- ドキュメント :
IS61NVP25636A-200TQLI ドキュメント - 説明する : 2.375V~2.625V 9Mbit TQFP-100(14x20) SRAM
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ISSI® IS61NVP25636A-200TQLI 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:100-LQFP
テクノロジー:SRAM - Synchronous, SDR
サプライヤーデバイスパッケージ:100-LQFP (14x20)
メモリサイズ:9Mbit
メモリタイプ:Volatile
電圧 - 供給:2.375V ~ 2.625V
クロック周波数:200 MHz
アクセス時間:3.1 ns
メモリフォーマット:SRAM
メモリインターフェース:Parallel
基本製品番号:IS61NVP25636
記憶の組織化:256K x 36
パッケージ:Tray
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:3A991B2A
HTS 米国:8542.32.0041
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS61NVP25636A-200TQLI
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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