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ISSI® IS43R83200B-6TL
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
メーカー品番 :IS43R83200B-6TL
メーカーです :ISSI®
Dasenic Part :IS43R83200B-6TL-DS
ドキュメント :
IS43R83200B-6TL ドキュメント
IS43R83200B-6TL ドキュメント顧客カスタム :
説明する : IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
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| 10000+ | $ 1.6862 | $ 16862 |
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IS43R83200B-6TL 情報
ISSI® IS43R83200B-6TL 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:0°C ~ 70°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- テクノロジー:SDRAM - DDR
- サプライヤーデバイスパッケージ:66-TSOP II
- メモリサイズ:256Mbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:2.3V ~ 2.7V
- クロック周波数:166 MHz
- アクセス時間:700 ps
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
- 基本製品番号:IS43R83200
- 記憶の組織化:32M x 8
- パッケージ:Tray
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.32.0024
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IS43R83200B-6TL 提供 ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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