Infineon Technologies IRF8910TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
メーカー品番 :IRF8910TRPBF
メーカーです :Infineon Technologies
Dasenic Part :IRF8910TRPBF-DS
ドキュメント :
IRF8910TRPBF ドキュメント
IRF8910TRPBF ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 5+ | $ 0.4212 | $ 2.11 |
| 10+ | $ 0.3870 | $ 3.87 |
| 50+ | $ 0.3852 | $ 19.26 |
| 100+ | $ 0.3411 | $ 34.11 |
| 200+ | $ 0.3258 | $ 65.16 |
在庫: 10200
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.4212
合計 :$ 0.42
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
IRF8910TRPBF 情報
Infineon Technologies IRF8910TRPBF 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:2W
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SO
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:10A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:13.4mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.55V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:11nC @ 4.5V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:960pF @ 10V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IRF8910TRPBF 提供 Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
Infineon Technologies 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
