Infineon Technologies IRF8327STR1PBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
メーカー品番 :IRF8327STR1PBF
メーカーです :Infineon Technologies
Dasenic Part :IRF8327STR1PBF-DS
ドキュメント :
IRF8327STR1PBF ドキュメント
IRF8327STR1PBF ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 2.3331 | $ 23.33 |
| 1000+ | $ 1.5554 | $ 1555.4 |
| 2000+ | $ 1.4776 | $ 2955.2 |
| 5000+ | $ 1.4221 | $ 7110.5 |
| 10000+ | $ 1.3665 | $ 13665 |
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IRF8327STR1PBF 情報
Infineon Technologies IRF8327STR1PBF 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:DirectFET™ Isometric SQ
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:DIRECTFET™ SQ
- 消費電力（最大）:2.2W (Ta), 42W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:14A (Ta), 60A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:7.3mOhm @ 14A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.4V @ 25µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:14 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1430 pF @ 15 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IRF8327STR1PBF 提供 Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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