Infineon Technologies IRF100P218XKMA1
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
メーカー品番 :IRF100P218XKMA1
メーカーです :Infineon Technologies
Dasenic Part :IRF100P218XKMA1-DS
ドキュメント :
IRF100P218XKMA1 ドキュメント
IRF100P218XKMA1 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 25+ | $ 10.4200 | $ 260.5 |
在庫: 2023
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 10.42
合計 :$ 10.42
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
IRF100P218XKMA1 情報
Infineon Technologies IRF100P218XKMA1 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AC
- 消費電力（最大）:556W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:209A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.28mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.8V @ 278µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:555 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:25000 pF @ 50 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IRF100P218XKMA1 提供 Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
Infineon Technologies 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
