Infineon Technologies IPD65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
メーカー品番 :IPD65R225C7ATMA1
メーカーです :Infineon Technologies
Dasenic Part :IPD65R225C7ATMA1-DS
ドキュメント :
IPD65R225C7ATMA1 ドキュメント
IPD65R225C7ATMA1 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 0.9450 | $ 0.95 |
| 25+ | $ 0.9270 | $ 23.18 |
| 100+ | $ 0.8883 | $ 88.83 |
| 500+ | $ 0.8505 | $ 425.25 |
| 1000+ | $ 0.8033 | $ 803.3 |
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IPD65R225C7ATMA1 情報
Infineon Technologies IPD65R225C7ATMA1 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO252-3
- 消費電力（最大）:63W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:11A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:225mOhm @ 4.8A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 240µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:20 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:996 pF @ 400 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IPD65R225C7ATMA1 提供 Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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