Infineon Technologies IPB107N20NAATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
メーカー品番 :IPB107N20NAATMA1
メーカーです :Infineon Technologies
Dasenic Part :IPB107N20NAATMA1-DS
ドキュメント :
IPB107N20NAATMA1 ドキュメント
IPB107N20NAATMA1 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 4.8870 | $ 4.89 |
| 10+ | $ 4.1940 | $ 41.94 |
| 50+ | $ 3.8520 | $ 192.6 |
| 100+ | $ 3.6180 | $ 361.8 |
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IPB107N20NAATMA1 情報
Infineon Technologies IPB107N20NAATMA1 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO263-3
- 消費電力（最大）:300W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:88A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:10.7mOhm @ 88A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 270µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:87 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:7100 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IPB107N20NAATMA1 提供 Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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