Infineon Technologies FF6MR12W2M1PB11BPSA1
MOSFET MODULE LOW POWER EASY
メーカー品番 :FF6MR12W2M1PB11BPSA1
メーカーです :Infineon Technologies
Dasenic Part :FF6MR12W2M1PB11BPSA1-DS
ドキュメント :
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 ドキュメント
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET MODULE LOW POWER EASY
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 602.7000 | $ 602.7 |
| 25+ | $ 590.6400 | $ 14766 |
| 100+ | $ 566.5400 | $ 56654 |
| 500+ | $ 542.4400 | $ 271220 |
| 1000+ | $ 512.3000 | $ 512300 |
在庫: 1513
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単価 :$ 602.7
合計 :$ 602.70
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FF6MR12W2M1PB11BPSA1 情報
Infineon Technologies FF6MR12W2M1PB11BPSA1 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:20mW (Tc)
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Silicon Carbide (SiC)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200V (1.2kV)
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:200A (Tj)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:5.63mOhm @ 200A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:5.55V @ 80mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:496nC @ 15V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:14700pF @ 800V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 提供 Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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