Infineon Technologies BSM25GP120B2BOSA1
IGBT MODULE 1200V
メーカー品番 :BSM25GP120B2BOSA1
メーカーです :Infineon Technologies
Dasenic Part :BSM25GP120B2BOSA1-DS
ドキュメント :
BSM25GP120B2BOSA1 ドキュメント
BSM25GP120B2BOSA1 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : IGBT MODULE 1200V
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BSM25GP120B2BOSA1 情報
Infineon Technologies BSM25GP120B2BOSA1 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Last Time Buy
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:230 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:Full Bridge
- 入力:Three Phase Bridge Rectifier
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):45 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:500 µA
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.55V @ 15V, 25A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:1.5 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BSM25GP120B2BOSA1 提供 Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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