Infineon Technologies 2EDN7523FXTMA1
IC GATE DRVR LOW-SIDE DSO8
メーカー品番 :2EDN7523FXTMA1
メーカーです :Infineon Technologies
Dasenic Part :2EDN7523FXTMA1-DS
ドキュメント :
2EDN7523FXTMA1 ドキュメント
2EDN7523FXTMA1 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : IC GATE DRVR LOW-SIDE DSO8
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 0.3395 | $ 0.34 |
| 25+ | $ 0.3327 | $ 8.32 |
| 100+ | $ 0.3191 | $ 31.91 |
| 500+ | $ 0.3056 | $ 152.8 |
| 1000+ | $ 0.2885 | $ 288.5 |
在庫: 45919
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.3395
合計 :$ 0.34
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
2EDN7523FXTMA1 情報
Infineon Technologies 2EDN7523FXTMA1 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-DSO-8
- 電圧 - 供給:4.5V ~ 20V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Low-Side
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:5A, 5A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:5.3ns, 4.5ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
2EDN7523FXTMA1 提供 Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
Infineon Technologies 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
