GeneSiC Semiconductor S300JR
DIODE GEN PURP 600V 300A DO9
メーカー品番 :S300JR
メーカーです :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Part :S300JR-DS
ドキュメント :
S300JR ドキュメント
S300JR ドキュメント顧客カスタム :
説明する : DIODE GEN PURP 600V 300A DO9
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 20+ | $ 137.3400 | $ 2746.8 |
| 40+ | $ 131.0000 | $ 5240 |
| 80+ | $ 125.2400 | $ 10019.2 |
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S300JR 情報
GeneSiC Semiconductor S300JR 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
- パッケージ/ケース:DO-205AB, DO-9, Stud
- サプライヤーデバイスパッケージ:DO-205AB, DO-9
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard, Reverse Polarity
- 電流 - 平均整流 ( Io):300A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.2 V @ 300 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 100 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):600 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-60°C ~ 200°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
S300JR 提供 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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