GeneSiC Semiconductor MBR20030CTR
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
- メーカー品番 :MBR20030CTR
- メーカーです :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic Part :MBR20030CTR-DS
- ドキュメント :
MBR20030CTR ドキュメント - 説明する : DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 193.86合計 : $ 193.86
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在庫: 801
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 20 + | $ 193.8600 | $ 3877.20 |
| 40 + | $ 184.9000 | $ 7396.00 |
| 80 + | $ 176.7600 | $ 14140.80 |
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GeneSiC Semiconductor MBR20030CTR 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ:Twin Tower
スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Schottky
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:650 mV @ 100 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 mA @ 20 V
ダイオード構成:1 Pair Common Anode
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):30 V
電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):200A (DC)
逆回復時間 (trr):-
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor MBR20030CTR
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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