GeneSiC Semiconductor MBR12080CTR
DIODE MODULE 80V 120A 2TOWER
- メーカー品番 :MBR12080CTR
- メーカーです :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic Part :MBR12080CTR-DS
- ドキュメント :
MBR12080CTR ドキュメント - 説明する : DIODE MODULE 80V 120A 2TOWER
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 148.06合計 : $ 148.06
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在庫: 2851
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 20 + | $ 148.0600 | $ 2961.20 |
| 40 + | $ 141.2400 | $ 5649.60 |
| 80 + | $ 135.0000 | $ 10800.00 |
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GeneSiC Semiconductor MBR12080CTR 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ:Twin Tower
スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Schottky
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:840 mV @ 60 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:3 mA @ 20 V
ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):80 V
電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):120A (DC)
逆回復時間 (trr):-
動作温度 - 接合部:-
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor MBR12080CTR
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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