GeneSiC Semiconductor GKR26/14
DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4
- メーカー品番 :GKR26/14
- メーカーです :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic Part :GKR26/14-DS
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GKR26/14 ドキュメント - 説明する : DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4
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GeneSiC Semiconductor GKR26/14 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Obsolete
取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース:DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ:DO-4
スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard
電流 - 平均整流 ( Io):25A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.55 V @ 60 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:4 mA @ 1400 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1400 V
逆回復時間 (trr):-
動作温度 - 接合部:-40°C ~ 180°C
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor GKR26/14
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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