GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220
SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2
メーカー品番 :GC10MPS12-220
メーカーです :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Part :GC10MPS12-220-DS
ドキュメント :
GC10MPS12-220 ドキュメント
GC10MPS12-220 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2
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GC10MPS12-220 情報
GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-2
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):54A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 10 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 1200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:660pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GC10MPS12-220 提供 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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