GeneSiC Semiconductor GBJ35M
450A 1.05V@17.5A 3.8A 1kV GBJ Bridge Rectifiers
- メーカー品番 :GBJ35M
- メーカーです :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic Part :GBJ35M-DS
- ドキュメント :
GBJ35M ドキュメント
- 説明する : 450A 1.05V@17.5A 3.8A 1kV GBJ Bridge Rectifiers
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 2.736合計 : $ 2.74
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- 発送元 :深センまたは香港の倉庫
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在庫: 8781
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
数量 | 単価 | 合計 |
1 + | $ 2.7360 | $ 2.74 |
10 + | $ 2.1600 | $ 21.60 |
25 + | $ 1.9710 | $ 49.28 |
100 + | $ 1.7100 | $ 171.00 |
200 + | $ 1.3140 | $ 262.80 |
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GeneSiC Semiconductor GBJ35M 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:4-SIP, GBJ
テクノロジー:Standard
サプライヤーデバイスパッケージ:GBJ
ダイオードタイプ:Single Phase
電圧 - ピーク逆電圧(最大):1 kV
電流 - 平均整流 ( Io):35 A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 17.5 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 1000 V
基本製品番号:GBJ35
パッケージ:Bulk
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor GBJ35M
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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