GeneSiC Semiconductor GA080TH65
MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
メーカー品番 :GA080TH65
メーカーです :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Part :GA080TH65-DS
ドキュメント :
GA080TH65 ドキュメント
GA080TH65 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 4998.0800 | $ 4998.08 |
| 3+ | $ 4729.0800 | $ 14187.24 |
| 5+ | $ 4658.1600 | $ 23290.8 |
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GA080TH65 情報
GeneSiC Semiconductor GA080TH65 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Thyristors - SCRs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-2
- 構造:Single
- 電流 - 保持 ( Ih) (最大):-
- 電圧 - オフ状態:6.5 kV
- S C R、ダイオードの数:1 SCR
- 電流 - オン状態 ( It ( A V)) (最大):80 A
- 電流 - オン状態 ( It ( R M S)) (最大):139 A
- 電圧 - ゲートトリガー ( Vgt) (最大):-
- 電流 - ゲートトリガー ( Igt) (最大):100 mA
- 電流 - 非反復サージ 50、60 Hz ( Itsm):-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GA080TH65 提供 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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