GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J
SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
メーカー品番 :G3R75MT12J
メーカーです :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Part :G3R75MT12J-DS
ドキュメント :
G3R75MT12J ドキュメント
G3R75MT12J ドキュメント顧客カスタム :
説明する : SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 8.6850 | $ 8.69 |
| 5+ | $ 7.5780 | $ 37.89 |
| 10+ | $ 7.3890 | $ 73.89 |
| 50+ | $ 6.8400 | $ 342 |
| 100+ | $ 6.4710 | $ 647.1 |
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G3R75MT12J 情報
GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
- 消費電力（最大）:224W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:42A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:90mOhm @ 20A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.69V @ 7.5mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:54 nC @ 15 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1560 pF @ 800 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:15V
- Vgs (最大):±15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3R75MT12J 提供 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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