GeneSiC Semiconductor DB103G
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
- メーカー品番 :DB103G
- メーカーです :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic Part :DB103G-DS
- ドキュメント :
DB103G ドキュメント - 説明する : BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 1.17合計 : $ 1.17
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在庫: 7069
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 1.1700 | $ 1.17 |
| 10 + | $ 0.6903 | $ 6.90 |
| 25 + | $ 0.5580 | $ 13.95 |
| 100 + | $ 0.4059 | $ 40.59 |
| 250 + | $ 0.3285 | $ 82.13 |
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GeneSiC Semiconductor DB103G 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:4-EDIP (0.321", 8.15mm)
テクノロジー:Standard
サプライヤーデバイスパッケージ:DB
ダイオードタイプ:Single Phase
電圧 - ピーク逆電圧（最大）:200 V
電流 - 平均整流 ( Io):1 A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 1 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 200 V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor DB103G
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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