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EPC EPC2106ENGRT
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
メーカー品番 :EPC2106ENGRT
メーカーです :EPC
Dasenic Part :EPC2106ENGRT-DS
ドキュメント :
EPC2106ENGRT ドキュメント
EPC2106ENGRT ドキュメント顧客カスタム :
説明する : GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
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EPC2106ENGRT 情報
EPC EPC2106ENGRT 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Discontinued at Digi-Key
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
- F E T機能:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:1.7A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:70mOhm @ 2A, 5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 600µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:0.73nC @ 5V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:75pF @ 50V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
EPC2106ENGRT 提供 EPC
Efficient Power Conversion Corporation (EPC) は、窒化ガリウム (GaN) ベースのパワーデバイスの開発と商品化を通じてパワーエレクトロニクス分野の発展に取り組んでいる最先端技術企業です。EPC は、パワーエレクトロニクス、半導体、ビジネス管理の専門家チームによって 2007 年に設立されました。設立以来、EPC は業界のリーダーとして認められ、既製の GaN ベースのパワートランジスタと集積回路の幅広いポートフォリオを提供しています。2009 年以降、同社の製品ラインは急速に拡大し、集積回路、自動車認定デバイス、耐放射線デバイスのファミリーが拡大しています。当社の製品は、民生用電子機器や自動車から再生可能エネルギーや宇宙まで、幅広い用途で使用されています。今日、世界中の大手企業が EPC と連携して、GaN の力で次世代テクノロジーを実現しています。
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