Central Semiconductor CP406-CWDM3011N-CT
MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
メーカー品番 :CP406-CWDM3011N-CT
メーカーです :Central Semiconductor
Dasenic Part :CP406-CWDM3011N-CT-DS
ドキュメント :
CP406-CWDM3011N-CT ドキュメント
CP406-CWDM3011N-CT ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
在庫: 2351
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0
合計 :$ 0.00
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
CP406-CWDM3011N-CT 情報
Central Semiconductor CP406-CWDM3011N-CT 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- 消費電力（最大）:1.15W (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:9.93A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:13mOhm @ 1A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CP406-CWDM3011N-CT 提供 Central Semiconductor
Central Semiconductor は、個別半導体に真剣に取り組んでいます。当社の事業は、製造するデバイス、製品の提供、提供するサービスにおいて、常に完璧さを追求することです。さまざまな用途に対応するため、当社の製品は表面実装、スルーホール、ベアダイで提供されています。当社は幅広い標準デバイスを製造していますが、カスタム、特殊、その他のニッチな製品やサービスにも優れています。お客様の声に耳を傾け、業界の変化を監視しながら、当社の製品設計チームは、常に変化するお客様の要件や業界のトレンドを満たす新製品の開発に取り組んでいます。
Central Semiconductor 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
