Alliance Memory AS6CE1016A-45ZIN
2.7V~3.6V 1MB (X16) LP SRAM, 45N
メーカー品番 :AS6CE1016A-45ZIN
メーカーです :Alliance Memory
Dasenic Part :AS6CE1016A-45ZIN-DS
ドキュメント :
AS6CE1016A-45ZIN ドキュメント
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説明する : 2.7V~3.6V 1MB (X16) LP SRAM, 45N
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 2.0970 | $ 2.1 |
| 10+ | $ 1.8603 | $ 18.6 |
| 25+ | $ 2.0970 | $ 52.43 |
| 40+ | $ 1.7318 | $ 69.27 |
| 135+ | $ 1.6263 | $ 219.55 |
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AS6CE1016A-45ZIN 情報
Alliance Memory AS6CE1016A-45ZIN 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- テクノロジー:SRAM - Asynchronous
- サプライヤーデバイスパッケージ:44-TSOP II
- メモリサイズ:1Mbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:2.7V ~ 3.6V
- アクセス時間:45 ns
- メモリフォーマット:SRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:45ns
- 記憶の組織化:64K x 16
- パッケージ:Tray
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.32.0041
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS6CE1016A-45ZIN 提供 Alliance Memory
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
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