Alliance Memory AS4C512M16MD4V-053BIN
8GB-LPDDR4X-WITHOUT ECC 512M X 1
メーカー品番 :AS4C512M16MD4V-053BIN
メーカーです :Alliance Memory
Dasenic Part :AS4C512M16MD4V-053BIN-DS
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AS4C512M16MD4V-053BIN ドキュメント
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説明する : 8GB-LPDDR4X-WITHOUT ECC 512M X 1
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AS4C512M16MD4V-053BIN 情報
Alliance Memory AS4C512M16MD4V-053BIN 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TC)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:200-VFBGA
- テクノロジー:SDRAM - Mobile LPDDR4X
- サプライヤーデバイスパッケージ:200-FBGA (10x15)
- メモリサイズ:8Gbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- クロック周波数:1.866 GHz
- アクセス時間:3.5 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:LVSTLE_06
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:18ns
- 記憶の組織化:512M x 16
- パッケージ:Tray
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C512M16MD4V-053BIN 提供 Alliance Memory
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
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