Alliance Memory AS4C1G8D3LA-12BIN
8G 1G X 8 1.35V(1.283-1.45V) IND
メーカー品番 :AS4C1G8D3LA-12BIN
メーカーです :Alliance Memory
Dasenic Part :AS4C1G8D3LA-12BIN-DS
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AS4C1G8D3LA-12BIN ドキュメント
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説明する : 8G 1G X 8 1.35V(1.283-1.45V) IND
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AS4C1G8D3LA-12BIN 情報
Alliance Memory AS4C1G8D3LA-12BIN 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 動作温度:-40°C ~ 95°C (TC)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:78-TFBGA
- テクノロジー:SDRAM - DDR3L
- サプライヤーデバイスパッケージ:78-FBGA (9x10.5)
- メモリサイズ:8Gbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.283V ~ 1.45V
- クロック周波数:800 MHz
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 記憶の組織化:1G x 8
- パッケージ:Tray
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C1G8D3LA-12BIN 提供 Alliance Memory
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
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