Alliance Memory AS4C32M16MD1A-5BCN
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
メーカー品番 :AS4C32M16MD1A-5BCN
メーカーです :Alliance Memory
Dasenic Part :AS4C32M16MD1A-5BCN-DS
ドキュメント :
AS4C32M16MD1A-5BCN ドキュメント
AS4C32M16MD1A-5BCN ドキュメント顧客カスタム :
説明する : IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 5.0310 | $ 5.03 |
| 10+ | $ 4.2660 | $ 42.66 |
| 100+ | $ 3.8790 | $ 387.9 |
| 250+ | $ 3.7800 | $ 945 |
| 480+ | $ 3.5460 | $ 1702.08 |
在庫: 5934
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 5.031
合計 :$ 5.03
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
AS4C32M16MD1A-5BCN 情報
Alliance Memory AS4C32M16MD1A-5BCN 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-30°C ~ 85°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:60-VFBGA
- テクノロジー:SDRAM - Mobile LPDDR
- サプライヤーデバイスパッケージ:60-FBGA (8x9)
- メモリサイズ:512Mb (32M x 16)
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.7V ~ 1.9V
- クロック周波数:200 MHz
- アクセス時間:700 ps
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.32.0028
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C32M16MD1A-5BCN 提供 Alliance Memory
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
Alliance Memory 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
/IS62WV10248DBLL-55TLI.JPG)
