Alliance Memory AS4C16M16SA-6BIN
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
メーカー品番 :AS4C16M16SA-6BIN
メーカーです :Alliance Memory
Dasenic Part :AS4C16M16SA-6BIN-DS
ドキュメント :
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説明する : IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 4.0068 | $ 40.07 |
| 348+ | $ 3.3390 | $ 1161.97 |
| 696+ | $ 3.2850 | $ 2286.36 |
| 1044+ | $ 3.2580 | $ 3401.35 |
| 1392+ | $ 3.2400 | $ 4510.08 |
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AS4C16M16SA-6BIN 情報
Alliance Memory AS4C16M16SA-6BIN 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:54-TFBGA
- テクノロジー:SDRAM
- サプライヤーデバイスパッケージ:54-TFBGA (8x8)
- メモリサイズ:256Mb (16M x 16)
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:3V ~ 3.6V
- クロック周波数:166 MHz
- アクセス時間:5 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:12ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.32.0024
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C16M16SA-6BIN 提供 Alliance Memory
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
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