Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL,LQ
MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
メーカー品番 :TPN8R903NL,LQ
Dasenic Part :TPN8R903NL,LQ-DS
ドキュメント :
TPN8R903NL,LQ ドキュメント
TPN8R903NL,LQ ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 25+ | $ 0.3347 | $ 8.37 |
| 100+ | $ 0.2763 | $ 27.63 |
| 250+ | $ 0.2751 | $ 68.78 |
| 500+ | $ 0.2444 | $ 122.2 |
| 1000+ | $ 0.2158 | $ 215.8 |
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TPN8R903NL,LQ 情報
Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL,LQ 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.1x3.1)
- 消費電力（最大）:700mW (Ta), 22W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:8.9mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.3V @ 100µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9.8 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:820 pF @ 15 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TPN8R903NL,LQ 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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