GeneSiC Semiconductor MURT20010
DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
メーカー品番 :MURT20010
メーカーです :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Part :MURT20010-DS
ドキュメント :
MURT20010 ドキュメント
MURT20010 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 20+ | $ 224.7200 | $ 4494.4 |
| 40+ | $ 214.3600 | $ 8574.4 |
| 80+ | $ 204.9000 | $ 16392 |
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MURT20010 情報
GeneSiC Semiconductor MURT20010 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Three Tower
- サプライヤーデバイスパッケージ:Three Tower
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.3 V @ 100 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:25 µA @ 50 V
- ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):100 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):100A
- 逆回復時間 (trr):75 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MURT20010 提供 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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