Vishay SIHB100N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
メーカー品番 :SIHB100N60E-GE3
メーカーです :Vishay
Dasenic Part :SIHB100N60E-GE3-DS
ドキュメント :
SIHB100N60E-GE3 ドキュメント
SIHB100N60E-GE3 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 3.0492 | $ 30.49 |
| 1000+ | $ 2.0328 | $ 2032.8 |
| 2000+ | $ 2.0310 | $ 4062 |
| 5000+ | $ 1.9942 | $ 9971 |
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SIHB100N60E-GE3 情報
Vishay SIHB100N60E-GE3 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:D2PAK (TO-263)
- 消費電力（最大）:208W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:30A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:100mOhm @ 13A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:50 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1851 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SIHB100N60E-GE3 提供 Vishay
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
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