フィードバック
日本語

画像は参考用です。

共有

1 : $0.2340

新規登録で2,000ドル以上の注文をすると、100ドルのクーポンがもらえます。 今すぐ登録 !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36FE,LM

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
part number has RoHS
メーカー品番 :SSM6N36FE,LM
Dasenic Part :SSM6N36FE,LM-DS
顧客カスタム :
説明する : MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
数量単価合計
1+$ 0.2340$ 0.23
10+$ 0.1557$ 1.56
100+$ 0.0810$ 8.1
1000+$ 0.0657$ 65.7
4000+$ 0.0522$ 208.8
在庫: 22537
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.234
合計 :$ 0.23
配達 :
dhlupsfedex
支払い :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

コストと時間を節約するのに役立ちます。

厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。

時間を節約する高速で信頼性の高い配送。

365日間の保証アフターサービスを提供します。

SSM6N36FE,LM 情報

  • Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36FE,LM 技術仕様、属性、パラメータ。
  • カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
  • パワー - 最大:150mW
  • サプライヤーデバイスパッケージ:ES6 (1.6x1.6)
  • F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
  • F E T機能:Logic Level Gate
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:500mA
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:630mOhm @ 200mA, 5V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 1mA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:1.23nC @ 4V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:46pF @ 10V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.21.0095
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SSM6N36FE,LM 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
Toshiba Semiconductor and Storage 関連製品す

市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。

  • RFQ