Toshiba Semiconductor and Storage RN1310(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
メーカー品番 :RN1310(TE85L,F)
Dasenic Part :RN1310(TE85L,F)-DS
ドキュメント :
RN1310(TE85L,F) ドキュメント
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説明する : TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
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RN1310(TE85L,F) 情報
Toshiba Semiconductor and Storage RN1310(TE85L,F) 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SC-70, SOT-323
- パワー - 最大:100 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:SC-70
- トランジスタタイプ:NPN - Pre-Biased
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 250µA, 5mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:100nA (ICBO)
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:120 @ 1mA, 5V
- 周波数 - 遷移:250 MHz
- 抵抗器 - ベース ( R1):4.7 kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0075
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RN1310(TE85L,F) 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
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