Taiwan Semiconductor TSM110NB04DCR RLG
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
メーカー品番 :TSM110NB04DCR RLG
メーカーです :Taiwan Semiconductor
Dasenic Part :TSM110NB04DCR RLG-DS
ドキュメント :
TSM110NB04DCR RLG ドキュメント
TSM110NB04DCR RLG ドキュメント顧客カスタム :
説明する : DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 0.7560 | $ 0.76 |
| 10+ | $ 0.6156 | $ 6.16 |
| 100+ | $ 0.4797 | $ 47.97 |
| 500+ | $ 0.4068 | $ 203.4 |
| 1000+ | $ 0.4023 | $ 402.3 |
在庫: 15000
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.756
合計 :$ 0.76
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
TSM110NB04DCR RLG 情報
Taiwan Semiconductor TSM110NB04DCR RLG 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 155°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
- パワー - 最大:2W (Ta), 48W (Tc)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-PDFN (5x6)
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):40V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:10A (Ta), 48A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:11mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:25nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1506pF @ 20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TSM110NB04DCR RLG 提供 Taiwan Semiconductor
1979 年に設立された台湾セミコンダクターは、地元の製造業者として始まり、1,500 人の従業員を擁するグローバル企業に成長しました。同社は台湾証券取引所に上場しています。台湾セミコンダクターは、ディスクリート パワー整流器のコア コンピタンスとして 40 年以上にわたり認められており、トレンチ ショットキー、MOSFET、パワー トランジスタ、LED ドライバ IC、アナログ IC、ESD 保護デバイスを含む製品ポートフォリオを拡大し、現在ではワンストップで完全なソリューションを提供しています。これらの製品は、自動車、コンピューター、消費者、産業、通信、太陽光発電など、エレクトロニクス業界のさまざまなアプリケーションで使用されています。台湾セミコンダクターの中国と台湾の生産施設は、現在の自動車および環境基準に完全に準拠しています。世界 13 か所に営業所があり、アジア、ヨーロッパ、アメリカのお客様に便利にサービスを提供しています。
Taiwan Semiconductor 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
