Rohm Semiconductor RQ3E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
メーカー品番 :RQ3E180BNTB
メーカーです :Rohm Semiconductor
Dasenic Part :RQ3E180BNTB-DS
ドキュメント :
RQ3E180BNTB ドキュメント
RQ3E180BNTB ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 160+ | $ 0.1767 | $ 28.27 |
| 200+ | $ 0.1755 | $ 35.1 |
| 500+ | $ 0.1474 | $ 73.7 |
| 1000+ | $ 0.1384 | $ 138.4 |
| 2000+ | $ 0.1373 | $ 274.6 |
在庫: 6431
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.1767
合計 :$ 0.18
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
RQ3E180BNTB 情報
Rohm Semiconductor RQ3E180BNTB 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-HSMT (3.2x3)
- 消費電力（最大）:2W (Ta), 20W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:39A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3.9mOhm @ 18A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:37 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3500 pF @ 15 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RQ3E180BNTB 提供 ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
ROHM Semiconductor 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
